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🧠 기술 구조: GAA vs FinFET
삼성전자는 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 3nm 공정에 적용하며 차세대 공정 경쟁의 포문을 열었습니다. GAA는 기존의 FinFET 구조보다 전력 효율성과 성능이 뛰어나지만, 초기에는 수율 확보에 어려움을 겪었습니다.
반면 TSMC는 안정적인 FinFET 기반으로 3nm 공정을 양산하며 수율에서 큰 격차를 벌리고 있습니다. 향후 2nm 공정에서는 TSMC도 GAA 기술을 도입할 예정입니다.
📈 수율 비교
공정삼성전자 수율TSMC 수율
| 3nm | 약 50% | 약 90% |
| 2nm | 약 30% (시험 생산) | 약 60% (시험 생산) |
👉 TSMC는 2배 가까운 수율 차이로 앞서고 있으며, 이는 곧 고객사 확보와 시장 점유율에 직접적인 영향을 미치고 있습니다.
🌍 시장 점유율 및 고객사
- TSMC: 글로벌 파운드리 시장에서 **62%**의 점유율을 기록 중이며, Apple, NVIDIA, Qualcomm 등의 굵직한 고객사를 보유하고 있습니다.
- 삼성전자: **약 10%**의 점유율로 TSMC와 큰 격차를 보이며, 자체 AP(Exynos) 외 고객사 유치에 어려움을 겪고 있습니다.
🔍 기술 로드맵
기업2nm 양산 계획특이사항
| TSMC | 2025년 하반기 | N2P 공정 도입 |
| 삼성전자 | 2025년 4분기 | 수율 개선 집중 |
양사는 2nm 공정 양산을 목표로 하지만, TSMC가 기술 완성도와 고객 신뢰도 면에서 앞서 있는 상황입니다.
📌 결론: 누가 승자일까?
현재 기준에서는 TSMC가 수율과 시장 점유율에서 확고한 우위를 점하고 있으며, 이는 향후 기술 로드맵을 실현하는 데도 긍정적인 영향을 미칠 전망입니다. 삼성전자는 기술 혁신(GAA) 측면에서 도전적인 행보를 보이고 있지만, 수율 안정화와 고객 확보가 시급한 과제입니다.
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